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GC50MPS06-247
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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GC50MPS06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GC50MPS06
GC50MPS06-247
Diodo 650 V 50A attraverso foro TO-247-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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