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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GD30MPS06H

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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
49A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GD30MPS06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
49A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GD30MPS06
GD30MPS06H
Diodo 650 V 49A attraverso foro TO-247-2