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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GC50MPS33H

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Descrizione: DIODO SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
GC50MPS33H
Diodo 3300 V 50A attraverso foro TO-247-2