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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GB01SLT12-214

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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
69pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMB (DO-214AA)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB01SLT12
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
69pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMB (DO-214AA)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB01SLT12
GB01SLT12-214
Diodo 1200 V 2.5A Montaggio superficiale SMB (DO-214AA)