Dettagli del prodotto
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
Attivo |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
10 μA @ 1200 V |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
1.8 V @ 1 A |
Pacchetto: |
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Capacità @ Vr, F: |
69pF @ 1V, 1MHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
SMB (DO-214AA) |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
Semiconduttore GeneSiC |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Temperatura di funzionamento - Giunzione: |
-55°C ~ 175°C |
Confezione / Cassa: |
DO-214AA, SMB |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
1200 V |
Corrente - media rettificata (Io): |
2.5A |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
GB01SLT12 |
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
Attivo |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
10 μA @ 1200 V |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
1.8 V @ 1 A |
Pacchetto: |
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Capacità @ Vr, F: |
69pF @ 1V, 1MHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
SMB (DO-214AA) |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
Semiconduttore GeneSiC |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Temperatura di funzionamento - Giunzione: |
-55°C ~ 175°C |
Confezione / Cassa: |
DO-214AA, SMB |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
1200 V |
Corrente - media rettificata (Io): |
2.5A |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
GB01SLT12 |