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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
181pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologia energetica globale-GPT
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
11.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 4 A
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
181pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
11.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
G3S06504C
Diodo 650 V 11.5A Montatura di superficie TO-252

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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