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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GP3d020A170B

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.65 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Amp+TM
Capacità @ Vr, F:
1403pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
67A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GP3D020
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.65 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Amp+TM
Capacità @ Vr, F:
1403pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
67A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GP3D020
GP3d020A170B
Diodo 1700 V 67A attraverso foro TO-247-2