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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GB01SLT06-214

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Descrizione: DIODO SIL CARB 650V 1A DO214AA

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 6,5 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB01SLT06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 6,5 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB01SLT06
GB01SLT06-214
Diodo 650 V 1A Montatura di superficie DO-214AA