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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > GB02SLT12-214
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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
131pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB02SLT12
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
131pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB02SLT12
GB02SLT12-214
Diodo 1200 V 2A Supporto di superficie DO-214AA

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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