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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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UJ3D06520KSD

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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
120 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Gen-III
Capacità @ Vr, F:
654pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
UT3D06520
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
120 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Gen-III
Capacità @ Vr, F:
654pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
UT3D06520
UJ3D06520KSD
Diodo 650 V 10A attraverso foro TO-247-3