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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GB05MPS33-263

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Descrizione: DIODO SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 3000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3 V @ 5 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
288pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-7
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D, TO-263CA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
14A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB05MPS33
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 3000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3 V @ 5 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
288pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-7
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D, TO-263CA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
14A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB05MPS33
GB05MPS33-263
Diodo 3300 V 14A Montaggio superficiale TO-263-7