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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > GD30MPS06J
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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-7
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D, TO-263CA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
51A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GD30MPS06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
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Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-7
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TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D, TO-263CA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
51A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GD30MPS06
GD30MPS06J
Diodo 650 V 51A Montatura di superficie TO-263-7

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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