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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
400 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 50 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2340pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
UJ3D1250
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
400 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 50 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2340pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
50A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
UJ3D1250
UJ3D1250K
Diodo 1200 V 50A attraverso foro TO-247-3

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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