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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > GB02SHT06-46
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-46
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 225°C
Confezione / Cassa:
TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB02SHT06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-46
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 225°C
Confezione / Cassa:
TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GB02SHT06
GB02SHT06-46
Diodo 600 V 4A attraverso foro TO-46

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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