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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GD60MPS17H

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 60 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
122a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
GD60
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 60 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
122a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
GD60
GD60MPS17H
Diodo 1700 V 122A attraverso foro TO-247-2