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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 6A10B-G
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 6 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
100 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
R-6
Mfr:
Tecnologia dei Comchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 125°C
Confezione / Cassa:
R-6, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
6A10
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 6 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
100 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
R-6
Mfr:
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Tecnologia:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 125°C
Confezione / Cassa:
R-6, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
6A10
6A10B-G
Diodo 1000 V 6A attraverso il foro R-6

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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