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1N5402T-G
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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-27 (DO-201AD)
Mfr:
Tecnologia dei Comchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 125°C
Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5402
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Mfr:
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Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5402
1N5402T-G
Diodo 200 V 3A attraverso foro DO-27 (DO-201AD)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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