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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > US1J-HF
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 30A DO214AC

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.65 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AC (SMA)
Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Tecnologia dei Comchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
US1J
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.65 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
US1J
US1J-HF
Diodo di 600 V 30A montato in superficie DO-214AC (SMA)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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