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1N4003T-G
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Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODO GEN PURP 200V 1A DO41

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Mfr:
Tecnologia dei Comchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N4003
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N4003
1N4003T-G
Diodo 200 V 1A attraverso foro DO-41

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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