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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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HVM12

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 12KV 350MA HVM

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 12000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
14 V @ 350 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
HVM
Mfr:
Rectron USA
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-20°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
12000 V
Corrente - media rettificata (Io):
350 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 12000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
14 V @ 350 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
HVM
Mfr:
Rectron USA
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-20°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
12000 V
Corrente - media rettificata (Io):
350 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
HVM12
Diodo 12000 V 350 mA attraverso foro HVM