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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4150

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 200 mA
Pacchetto:
scatola
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Semiconduttore Diotec
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-50°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 200 mA
Pacchetto:
scatola
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Semiconduttore Diotec
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-50°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
1N4150
Diodo 50 V 300mA attraverso foro DO-35