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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO263HV

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.6 V @ 12 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 600V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263HV
Tempo di recupero inverso (trr):
50 ns
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
11A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
DSEI12
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.6 V @ 12 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 600V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263HV
Tempo di recupero inverso (trr):
50 ns
Mfr:
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
11A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
DSEI12
DSEI12-12AZ-TUB
Diodo 1200 V 11A Montatura di superficie TO-263HV

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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