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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/411
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
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Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JAN1N5417US/TR
Diodo 200 V 3A Supporto di superficie B, SQ-MELF

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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