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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RS1DLHR3G

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Descrizione: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 800 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
Sub SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
800mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RS1D
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 800 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
Sub SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
800mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RS1D
RS1DLHR3G
Diodo 200 V 800 mA Sub SMA montato in superficie