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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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6A60GH

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 6 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
R-6
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
R-6, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
6A60
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 6 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
R-6
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
R-6, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
6A60
6A60GH
Diodo 600 V 6A attraverso foro R-6