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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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ESH1GM

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Descrizione: 25NS, 1A, 400V, RECOV ULTRA FAST

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
Micro SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
2-SMD, cavo piano
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
Micro SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
2-SMD, cavo piano
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
ESH1GM
Diodo 400 V 1A Monte superficiale Micro SMA