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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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AU1FKHM3/I

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Descrizione: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.85 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.2pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.85 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.2pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
AU1FKHM3/I
Diodo 800 V 1A montato in superficie DO-219AB (SMF)