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BAS116HMFHT116

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SSD3
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
215 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
BAS116
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SSD3
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
215 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
BAS116
BAS116HMFHT116
Diodo 80 V 215 mA SSD a montaggio superficiale3