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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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EM513GP-AP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO41

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.25 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
EM513
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.25 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
EM513
EM513GP-AP
Diodo 1600 V 1A attraverso foro DO-41