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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 1N4448W-HE3-18
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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
720 mV @ 5 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-123
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SOD-123
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4448
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
720 mV @ 5 mA
Pacchetto:
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Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
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75 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4448
1N4448W-HE3-18
Diodo 75 V 150 mA Supporto di superficie SOD-123

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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