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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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IDH08S120

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 7.5 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
7.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 7.5 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
7.5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
IDH08S120
Diodo 1200 V 7.5A attraverso foro PG-TO220-2