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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 300MA 2DFN
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 75 V | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1,25 V a 150 mA | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | Serie: | Automotive, AEC-Q101 | Capacità @ Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | X1-DFN1006-2 | Tempo di recupero inverso (trr): | 4 ns | Mfr: | Diodi incorporati | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C | Confezione / Cassa: | 0402 (1006 metrici) | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 75 V | Corrente - media rettificata (Io): | 300 mA | Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | Numero del prodotto di base: | BAS16 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 75 V | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1,25 V a 150 mA | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | 
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 | 
| Capacità @ Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | X1-DFN1006-2 | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 4 ns | 
| Mfr: | Diodi incorporati | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C | 
| Confezione / Cassa: | 0402 (1006 metrici) | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 75 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 300 mA | 
| Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | 
| Numero del prodotto di base: | BAS16 |