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FFSB0865B-F085

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Descrizione: DIODO SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
336 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
² PAK-2 (TO-263-2) DI D
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10.1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSB0865
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
336 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
² PAK-2 (TO-263-2) DI D
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10.1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSB0865
FFSB0865B-F085
Diodo 650 V 10.1A Montaggio superficiale D2PAK-2 (TO-263-2)