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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MSC010SDA170B

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-3

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
820 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
31A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
MSC010
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 1700 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
820 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1700 V
Corrente - media rettificata (Io):
31A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
MSC010
MSC010SDA170B
Diodo 1700 V 31A attraverso foro TO-247-3