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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MUR2100EG

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.2 V @ 2 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
SWITCHMODE™
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
100 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR2100
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.2 V @ 2 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
SWITCHMODE™
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
100 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR2100
MUR2100EG
Diodo 1000 V 2A attraverso l'asse del foro