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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-8EWS16S-M3

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,1 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252, (D-Pak)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1600 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
8EWS16
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,1 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252, (D-Pak)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1600 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
8EWS16
VS-8EWS16S-M3
Diodo 1600 V 8A di montaggio di superficie TO-252, (D-Pak)