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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SIC0860PL8-TP

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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 8A DFN8080A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
36 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
346pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN8080A
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
4-PowerVSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SIC0860
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
36 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
346pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN8080A
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
4-PowerVSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SIC0860
SIC0860PL8-TP
Diodo 650 V 8A Montatura di superficie DFN8080A