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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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G.I.758

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 6A AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
950 mV @ 6 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
950 mV @ 6 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
G.I.758
Diodo 800 V 6A attraverso l'asse del foro