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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NTE580-1

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODO GEN PURP 100V 3A DO27

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 9.4 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-27
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 9.4 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-27
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE580-1
Diodo 100 V 3A attraverso foro DO-27