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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RGP30M

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
RGP30
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-201AD
Tempo di recupero inverso (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-
Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
RGP30
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-201AD
Tempo di recupero inverso (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-
Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
RGP30M
Diodo 1000 V 3A attraverso foro DO-201AD