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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5553

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 3 A
Pacchetto:
scatola
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
90pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
4 µs
Mfr:
Stato Solido Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 3 A
Pacchetto:
scatola
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
90pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
4 µs
Mfr:
Stato Solido Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5553
Diodo 800 V 3A attraverso l'asse del foro