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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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C4D10120A

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Descrizione: DIODO SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Z-Rec®
Capacità @ Vr, F:
754pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
33A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
C4D10120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Z-Rec®
Capacità @ Vr, F:
754pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
33A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
C4D10120
C4D10120A
Diodo 1200 V 33A attraverso foro TO-220-2