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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RFN1VWM2STFTR

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Descrizione: DIODO GEN PURP 200V 1A PMDE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
930 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDE
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
2-SMD, cavo piano
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN1VWM2
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
930 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDE
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
2-SMD, cavo piano
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN1VWM2
RFN1VWM2STFTR
Diodo di 200 V 1A montato in superficie PMDE