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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > D1050N18TXPSA1
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.8KV 1050A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 mA @ 1800 V
Tipo di montaggio:
Premi sopra
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 1000 A
Pacchetto:
Scaffale
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 180°C
Confezione / Cassa:
DO-200AB, B-PUK
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1050A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
D1050N
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
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Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 mA @ 1800 V
Tipo di montaggio:
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1 V @ 1000 A
Pacchetto:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1050A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
D1050N
D1050N18TXPSA1
Diodo 1800 V 1050A

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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