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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SCS308AJTLL

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Descrizione: DIODO SILICIO CARBIDE 650V 8A LPTL

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
400 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
LPTL
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS308
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
400 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
LPTL
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS308
SCS308AJTLL
Diodo 650 V 8A montato in superficie LPTL