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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2
Tempo di recupero inverso (trr):
80 NS
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
IDP08E65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
IDP08E65
IDP08E65D1XKSA1
Diodo 650 V 8A attraverso foro TO-220-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

St ICS del microcontroller pungente 32

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