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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1n459atr

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 nA @ 175 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
500 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N459
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 nA @ 175 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
500 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N459
1n459atr
Diodo 200 V 500 mA attraverso foro DO-35