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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 3A B SQ-MELF

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5554
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 9 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
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Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5554
1N5554US
Diodo 1000 V 3A Supporto di superficie B, SQ-MELF

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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