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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > IDK05G120C5XTMA1
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Descrizione: DIODE SIC 1.2KV 19.1A TO263-1

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
33 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,8 V @ 5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
301pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
19.1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK05G120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
33 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,8 V @ 5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
301pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2-1
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Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
19.1A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK05G120
IDK05G120C5XTMA1
Diodo 1200 V 19.1A Montatura superficiale PG-TO263-2-1

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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