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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6483-E3/96

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Descrizione: DIODO GEN PURP 800V 1A DO213AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SUPERECTIFIER®
Capacità @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-213AB
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-213AB, MELF (vetro)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N6483
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
SUPERECTIFIER®
Capacità @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-213AB
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-213AB, MELF (vetro)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N6483
1N6483-E3/96
Diodo 800 V 1A Supporto di superficie DO-213AB