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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MBR8170TFSTWG

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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
30 μA @ 170 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
890 mV @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
237pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
170 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
30 μA @ 170 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
890 mV @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
237pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
170 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
MBR8170TFSTWG
Diodo 170 V 8A Supporto di superficie 8-WDFN (3.3x3.3)